【摘 要】
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主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、
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主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性和MoSe2/Si异质结的光电特性。分析可见所制备的硒化钼薄膜由柱状生长的硒化钼纳米颗粒构成,且这些纳米颗粒具有很强的垂直生长的取向。另外,还发现该硒化钼薄膜对可见光有很强的吸收和良好的光电特性,表明硒化钼薄膜在光电器件领域具有很大的应用潜力。
The preparation and optoelectronic properties of molybdenum selenide (MoSe2) thin films were mainly studied. Using molybdenum selenide powder as a raw material, a molybdenum selenide film is deposited on a Si substrate by a chemical vapor deposition (CVD) method. The surface morphology, crystal structure, light absorption properties and MoSe2 / Si heterostructures of molybdenum selenide films were characterized by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Hall effect and UV-3600 spectrophotometer Photoelectric characteristics of the junction. The analysis shows that the prepared molybdenum selenide film is composed of columnar grown molybdenum selenide nanoparticles, and these nanoparticles have strong vertical growth orientation. In addition, it was also found that the molybdenum selenide film has a strong absorption of visible light and good photoelectric properties, indicating that the molybdenum selenide film has great potential in the field of optoelectronic devices.
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