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专用电源应用rn若想最大限度地提高效率,只使用RDS(on)值尽可能小的器件是不行的,还应当考虑其它因素.这些因素包括电路、封装的Rθ(J-C)值(结至封装的热阻)、封装的电流处理能力及封装本身.为了证明这一论断是正确的,我们不妨考虑下面条件中两个MOSFET的使用情况:在tJ-25℃时,两个MOSFET的RDS(on)值相同,但是其中一个MOSFET的Rθ值高于备用器件的Rθ.rn