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用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。
LPE GaAs／Ga1—xAlxAs多层光阴极材料均匀性研究
【摘 要】
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用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1994年2期
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