第一性原理设计非临界位相匹配二次谐波材料CdSi1-xGexAs2

来源 :山西大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：terzaghi

【摘要】

：

通过第一性原理研究了基于Ⅱ-Ⅳ-V2族CKP半导体中CdSiAs2的非临界位相匹配二次谐波材料.根据量化双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同

【作者】

：

姜晓庶米庶 Walter R.L.Lambrecht

【机构】

：

山西大学物理电子工程学院,DepartmentofPhysicsCaseWesternReserveUniversity

【出处】

：

山西大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

非临界位相匹配二次谐波密度泛函理论 NCPM SHG density functional theory

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通过第一性原理研究了基于Ⅱ-Ⅳ-V2族CKP半导体中CdSiAs2的非临界位相匹配二次谐波材料.根据量化双折射性同应力的线性关系,它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料.计算显示,少量的掺杂Ge（〈5%）,CdSi1-xGexAs2能够实现非临界位相匹配Ⅰ类二次谐波产生（SHG）在CO2激光谱线范围可调谐,它可能具有很高的有效χ^2.

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