【摘 要】
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采用直流磁控溅射在（0001）蓝宝石基片上制备Sc掺杂AlN（ScAlN）薄膜,所用靶材是ScAl合金靶（Sc0.06Al0.94）。通过X线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）测量其结晶取向和表面形貌,通过压电响应
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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采用直流磁控溅射在（0001）蓝宝石基片上制备Sc掺杂AlN（ScAlN）薄膜,所用靶材是ScAl合金靶（Sc0.06Al0.94）。通过X线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）测量其结晶取向和表面形貌,通过压电响应显微镜（PFM）测量其压电性能。结果表明,溅射气压是影响薄膜结晶质量和压电性能的重要因素。随着气压从0.3Pa增加到0.7Pa,薄膜的结晶质量和表面形貌会先变好后变差,薄膜的压电常数也有相似的变化规律。最后,当溅射气压为0.5Pa时获得了高度c轴取向的ScAlN薄膜,薄膜的摇摆曲线半高宽（F
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