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利用第一性原理方法计算了空位和Si（硅）替位掺杂对In（铟）原子在石墨烯上吸附的影响。结果表明：在低覆盖度下,空位比Si替位掺杂更能增强In在石墨烯上的吸附,主要原因在于空位引入更多的悬挂键,加强了In和石墨烯之间相互作用。而对于较高覆盖度,Si替位掺杂却比空位对In吸附在石墨烯上的影响更强。无论是较高覆盖度还是低覆盖度,空位和Si替位掺杂均增强了In在石墨烯上的吸附。