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在集成电路飞速发展的过程中，特征线宽逐渐缩小，并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP，直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度，可以有效改善单晶的COP，改善后的重掺Sb衬底经外延后，COP被“覆盖”，而不对外延层造成影响。
浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除
【摘 要】
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在集成电路飞速发展的过程中，特征线宽逐渐缩小，并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP，直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度，可以有效改
【机 构】
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上海合晶硅材料有限公司
【出 处】
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上海有色金属
【发表日期】
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2010年2期
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