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基于多电子精细结构哈密顿和不可约张量理论,在考虑电子间交换相互作用以及内外壳层电子的不同屏蔽效应的基础上,推导了中性硅原子和低电荷态类硅离子Z=14~17能级的非相对论和相对论修正项的解析表达式;分析了各相对论修正的贡献。所得结果与实验测量结果之间吻合程度较高。
低电荷态类硅离子能级的解析计算
【摘 要】
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基于多电子精细结构哈密顿和不可约张量理论,在考虑电子间交换相互作用以及内外壳层电子的不同屏蔽效应的基础上,推导了中性硅原子和低电荷态类硅离子Z=14~17能级的非相对论
【机 构】
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湖南工业大学理学院
【出 处】
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湖南工业大学学报
【发表日期】
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2019年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11504421).
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