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用PLD方法在铂金硅衬底制作了高质量的SrBi2Ta0．6Nb1．4O9（SBTN）铁电薄膜样品．研究了SBTN薄膜的电学和光学疲劳特性，分析了其机制．结果显示SBTN铁电薄膜，在电场疲劳下，具有无疲劳特性的优良电学性质；然而，在0．9V电场下，用200W汞灯疲劳样品，发现光诱导极化疲劳明显，与疲劳前相比，剩余极化下降了51％．这种光诱导剩余极化减小的疲劳，主要机理是光生载流子电畴钉扎．