【摘 要】
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采用简单的低温（温度未超过100°C）溶液法在具有较好柔韧度的基于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底的铟锡氧化物（ITO）导电膜（PET/ITO）上成功制备了聚丙烯酰胺（PAM）修饰的ZnO微纳阵列.
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院高分子材料系
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采用简单的低温（温度未超过100°C）溶液法在具有较好柔韧度的基于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底的铟锡氧化物（ITO）导电膜（PET/ITO）上成功制备了聚丙烯酰胺（PAM）修饰的ZnO微纳阵列.用X射线衍射（XRD）仪和扫描电子显微镜（SEM）对ZnO微纳阵列的晶体结构和表面形貌进行了表征,结果表明ZnO阵列的平均直径为150nm,长度为3μm,端面具有六边形结构,沿[0001]方向择优生长,较好地垂直在PET/ITO上;探讨了ZnO微纳阵列在PAM存在下的形成机理以及所制备的ZnO阵列在
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