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碳化硅(Si C)作为第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高饱和飘逸速度、高临界击穿电场等优点,在高温、高频、大功率应用方面有很大的优势。本文简要介绍了Si C材料的特点、制备及其在功率器件方面的应用。
碳化硅功率器件及应用
【摘 要】
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碳化硅(Si C)作为第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高饱和飘逸速度、高临界击穿电场等优点,在高温、高频、大功率应用方面有很大的优势。本文简要介绍了Si C材料的特
【机 构】
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西安电力电子技术研究所
【出 处】
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科技风
【发表日期】
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2015年20期
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