Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:michael_lv
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极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[011]方向4°或(211)面的Si作衬底,可以有效消除反相畴.
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