论文部分内容阅读
南京电子器件研究所最近在研制超宽带、长脉宽硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展，研制出的器件在2.7-3.4GHz超宽带内，脉宽100μs，占空比10%条件下，全带内脉冲输出的功率大于100W，功率增益大于7.0dB，效率大于4%，顶降小于0.5dB。S波段硅脉冲大功率管带宽达到了700MHz，迄今尚未见国内外报道。