【摘 要】
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研究了低能Ar＋离子束对单晶硅表面的刻蚀效果.使用自制的冷阴极离子源,通过控制离子束的入射能量和刻蚀时间等因素,对单晶硅（100）表面进行刻蚀,采用原子力显微镜（AFM）和非接触式表
【基金项目】
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13115工程中心建设项目（2010ZDGC-06）, 陕西省教育厅科学研究项目（12JK0469）, 西安工业大学校长基金（XAGDXJJ1002）
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研究了低能Ar＋离子束对单晶硅表面的刻蚀效果.使用自制的冷阴极离子源,通过控制离子束的入射能量和刻蚀时间等因素,对单晶硅（100）表面进行刻蚀,采用原子力显微镜（AFM）和非接触式表面测量仪对刻蚀后硅片的表面形貌以及表面粗糙度（RMS）进行测量.实验结果表明：当离子束正入射、束流密度为20μA/cm2、刻蚀时间为30min、刻蚀距离为7cm时,入射能量从800eV增加到1 200eV的过程中,此时表面光滑起主要作用,表面粗糙度逐渐减小;继续增大入射能量到1 600eV时,表面粗糙度开始增大,当入射能量达到
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