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各种各样的 InGaAs 层在上的效果结构并且分子横梁的取向附生(MBE ) 种的 InAs 自我装配的量点(QD ) 的光学性质被调查。1317 nm 的排放波长被在 InGaAs/ GaAs 量嵌入 InAs QD 很好获得。温度依赖者并且预定 -- 解决的光致发光(TDPL 和 TRPL ) 被用来学习搬运人的动态特征。InGaAs 帽子层可以在 QD 附近为应变松弛改进量点的质量，它导致更强壮的 PL 紧张和 PLpeak 一生的增加直到 170 K。我们发现那 InGaAs 缓冲层可以减少 PL