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据法新社报道，韩国三星公司12日推出容量为16G的NAND闪存盘，并且突破了50纳米的技术瓶颈。三星公司表示，一个新的闪存卡可以存储200年每天40页对开的报纸，或者8000首歌，或者32小时DVD质量电影。三星公司公司表示，他们是世界上第一家突破50纳米技术瓶颈的公司。新型芯片每个包含有164亿个晶体管，每个晶体管大小在1至2微米，也就是人的头发丝的宽度。目前闪存芯片制造使用的是80纳米技术。三星公司计划2006年下半年开始16G的NAND闪存芯片的大批量生产。