【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法在硅片上制备了掺杂稀土离子Tb~（3＋）的SiO_2薄膜,并用荧光分析方法研究了薄膜的发光特性,对发光效果的提升途径做了探索和分析。在245 nm波长的激发下,能够观察
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采用溶胶-凝胶法在硅片上制备了掺杂稀土离子Tb~（3＋）的SiO_2薄膜,并用荧光分析方法研究了薄膜的发光特性,对发光效果的提升途径做了探索和分析。在245 nm波长的激发下,能够观察到Tb~（3＋）的5D4-7FJ（J=6,5,4,3）的跃迁发射峰。对于Tb~（3＋）离子的高浓度掺杂体系,在掺入富Si或Al~（3＋）离子后,浓度猝灭效应能得到明显改善。同时掺入两种激活剂的样品发光强度较只掺Al~（3＋）的样品大了近一倍。此外,氩气氛退火引入氧空位缺陷也能使样品的发光强度有较大提升,氩气氛退火的最佳温度为
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