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超低介电常数纳米多孔 SiO2薄膜在未来超大规模集成电路（ULSI）中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔 SiO2薄膜疏水性的原理、工艺以及表征方法。
纳米多孔SiO2薄膜疏水性的研究进展
【摘 要】
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超低介电常数纳米多孔 SiO2薄膜在未来超大规模集成电路（ULSI）中有着广阔的应用前景,但其疏水性能的好坏是决定其能否在 ULSI 中应用的重要因素之一。介绍了国内外有关纳米多孔
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,国防科技大学机电工程与自动化学院CFC国防科技重点实验室
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2005年11期
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