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金丝键合是微波组件产品制造中的重要工艺,其中V型金丝应用广泛。针对V型金丝的键合间距对微波组件的电性能影响进行研究,运用仿真及实验的方法进行详细分析。分析结果表明,V型金丝间距增大,驻波比参数变小,插入损耗变小,相位差增大。
V型金丝间距对微波组件电性能的影响
【摘 要】
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金丝键合是微波组件产品制造中的重要工艺,其中V型金丝应用广泛。针对V型金丝的键合间距对微波组件的电性能影响进行研究,运用仿真及实验的方法进行详细分析。分析结果表明,V型金丝间距增大,驻波比参数变小,插入损耗变小,相位差增大。
【机 构】
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成都西科微波通讯有限公司
【出 处】
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电子工艺技术
【发表日期】
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2021年4期
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