【摘 要】
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随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点.文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征.通过搭建短路和U
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
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随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点.文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征.通过搭建短路和UIS测试通用的测试平台进行实验,对短路和UIS失效机理进行分析.通过对商用器件进行重复性测试,研究器件在两种瞬态可靠性测试下性能退化情况,对器件内部退化机理进行合理的分析.
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