【摘 要】
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金刚线切割多晶硅片表面减反射结构难以制备的问题阻碍着多晶硅光伏的进步.银辅助的酸腐蚀是解决这一问题的较好方法,但银的消耗和废液处理等增加了成本.本研究提出了醋酸铜辅助催化刻蚀金刚线切割多晶硅片方案,考察了刻蚀反应温度和时间对硅片表面形貌的影响,确定了最优的反应温度和时间分别为25℃和5 min.在此条件下,所获得的多晶硅在300～1100 nm波段的平均反射率为15.1％.按照标准太阳电池制备工艺流片后,所获太阳电池的光电转换效率为19.4％.
【机 构】
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浙江大学 材料科学与工程学院/硅材料国家重点实验室,浙江 杭州 310027
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金刚线切割多晶硅片表面减反射结构难以制备的问题阻碍着多晶硅光伏的进步.银辅助的酸腐蚀是解决这一问题的较好方法,但银的消耗和废液处理等增加了成本.本研究提出了醋酸铜辅助催化刻蚀金刚线切割多晶硅片方案,考察了刻蚀反应温度和时间对硅片表面形貌的影响,确定了最优的反应温度和时间分别为25℃和5 min.在此条件下,所获得的多晶硅在300～1100 nm波段的平均反射率为15.1％.按照标准太阳电池制备工艺流片后,所获太阳电池的光电转换效率为19.4％.
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