多光束纳秒紫外激光制作硅表面微结构

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：accessw2009

【摘要】

：

使用波长351nm的半导体泵浦全固态脉冲激光器作为光源,经过位相光栅分束,形成干涉光场,在硅表面直接刻蚀微结构,制作了周期为0.55μm,槽深可达55nm的一维微光栅和周期为1.25

【作者】

：

朱冀梁张恒陈林森李晓建周小红

【机构】

：

苏州大学信息光学工程研究所

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2009年10期

【关键词】

：

光栅微结构刻蚀衍射效率硅 Micro-grating structure Ablation Diffraction efficiency Silic

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使用波长351nm的半导体泵浦全固态脉冲激光器作为光源,经过位相光栅分束,形成干涉光场,在硅表面直接刻蚀微结构,制作了周期为0.55μm,槽深可达55nm的一维微光栅和周期为1.25μm,刻蚀深度45nm的正交微光栅结构.给出了微光栅形貌结构的扫描电子显微镜和原子力显微镜的测量结果.正交微光栅的一级衍射效率在1.8%～6.3%之间.该研究是改变硅表面微结构,优化硅材料特性的一种新方法,并扩展了大功率激光刻蚀在表面微加工领域的应用.

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