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采用稀硫酸溶液清洗以除去在铜晶种表面形成的氧化物。将通过溅射沉积在Ti/Si（100）薄片上生成的铜晶种暴露在空气中来生长原生铜氧化物。用稀硫酸溶液和TS-40A碱性清洗剂除去原生铜氧化物。先用TS-40A碱性清洗剂预处理以除去铜晶种表面的有机物,再用稀硫酸溶液除去铜氧化物（Cu2O和CuO）以及有机物和Cu（OH）2。