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采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下，金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物，直至Ni被完全消耗完，接着多晶SiGe薄膜在Ni硅化物上异质生长；首次制作了AL／PolySiGe／Ni Sillcide肖特基二极管，对器件的I-V特性测试表明，采用这种结构制备的肖特基结在±1V时，整流比可达到8000，而在-2V时反向漏电流只有10^-7A，显示出很好的器件性能。