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Ⅲ—Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。由于低掺杂和空穴电离等原因，p-GaN上的低阻接触难于制备。制备稳定的p-GaN欧姆接触一直是一个挑战。主要通过对有关英语期刊文献的归纳分析，介绍了近年来在改进p-GaN工艺、提高欧姆接触性能等方面的研究进展。