移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：durrenchen

【摘要】

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采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te（CMT）和Cd0.9Zn0.1Te（CZT）单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×10^9~6.2×10^10

【作者】

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梁巍王林军张继军秦凯丰赖建明吴文其

【机构】

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上海大学材料科学与工程学院

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

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2015年4期

【关键词】

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碲锰镉碲锌镉移动加热器法电阻率 CdMnTe CdZnTe traveling heater method resistivity

【基金项目】

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National Natural Science Foundation of China（11275122,51472155,11375112）

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采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te（CMT）和Cd0.9Zn0.1Te（CZT）单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×10^9~6.2×10^10Ω·cm。CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23。富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4~14.4 ppm范围内。红外透射显微镜观察到

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