论文部分内容阅读
采用等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD）技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜（High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM）图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅（nanocrystalline silicon,nc-Si）薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙