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综述了碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）的主要结构和导电沟道的制备工艺，如AFM探针操控、CVD原位生长、交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法。在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上，着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管（SWCNT）的烧除、接触电阻大、滞后现象以及P型CNTFET转化等问题，并针对这些问题提出了具体可行的解决方案。