【摘 要】
：
针对光致发光光谱法研究ZnTe:Ti的困难,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化.发现: (1)低于ZnTe禁带宽度的激发能量能给
【机 构】
：
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
论文部分内容阅读
针对光致发光光谱法研究ZnTe:Ti的困难,对包括激发能量、激发功率与激发光斑大小、水汽干扰和测量温度等实验条件进行了细致的优化.发现: (1)低于ZnTe禁带宽度的激发能量能给出相对强的光致发光光谱; (2) 水汽干扰既影响谱线的相对强度又增大谱线能量的测定误差; (3)相对强的激光聚焦有利于获得较好的光致发光光谱.可靠地观察到位于3903.5和3905.9cm-1能量位置处的零声子光致发光谱线. 根据两谱线的能量间距和相对强度随温度的变化关系,并借助于晶体场理论对四面体晶体场中3d1和3d2杂质离子能级的分析, 该零声子光致发光谱线被界定为源于Ti3+的深能级跃迁, 从而获得了Ti3+存在于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的光致发光证据.
其他文献
The novel complex { [ Co (bipy) (azpy) 2 (NCS) 2 ] @ H2O } n (where bipy = 4, 4′-bipyridine, azpy = 4, 4′-azobisp-yridine) has been synthesized and characteri
研究相对论力学系统的形式不变性与Noether对称性,给出相对论力学系统的Noether定理,以及形式不变性的定义、判据和守恒量,得到形式不变性和Noether对称性的关系,并举例说明
采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通
为了得到单频输出的光纤激光器,常采用带有相移的分布反馈结构,但当耦合强度比较大时,基模的激光功率将集中在相移区,这时,如果相移区太偏离光纤光栅的中心位置,由于空间烧孔
在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了300 nm左右的TiO2薄膜试样.用X射
明确了同步、滑步、蠕步的概念;指出滑步(或称失步)与发散(或称无界失稳)的区别和联系;揭示了运动系统经过动态鞍点是发生滑步的充要条件,而不是发散的充要条件.只有在非哈密
在纯净氦气条件下,对高频纵向脉冲放电的等离子体动态阻抗进行了实验研究.测量了放电等离子体阻抗随放电电压、频率以及气体压强之间的变化关系,表明等离子体阻抗随频率和电
对单向耦合的统一混沌系统间的投影同步进行了研究与控制.分析了投影同步现象的产生机理,给出一方案对投影同步的特征量进行控制.该方案所需控制代价较小, 为设计适当的混沌
采用新清洗工艺对K9玻璃基片进行了清洗,镀制了多种氧化物介质膜,镀膜后的膜层损伤阈值比一般清洗要高出一倍多。用等离子体光法和相衬显微镜观察法相结合来判断损伤,分别用1
A new nickl(Ⅱ) complex containing the thiazole-substituted nitroxide radical with the formula Ni(NIT2-thz) 2Cl 2(NIT2-thz=4,4,5,5-tetramethyl-2-(2′-thiazole