硅基纳米结构的发光

来源 :泉州师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：simetl1235

【摘要】

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测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱,这四种薄膜在光激发下都具有Er3+离子的1.54μm峰位.Er3+离子1.54μm的峰强度

【作者】

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袁放成

【机构】

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泉州师范学院物理系

【出处】

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泉州师范学院学报

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

发光纳米结构纳米硅粒 luminescence nanostructures silicon nanoparticles

【基金项目】

：

福建省教育厅科研项目

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测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱,这四种薄膜在光激发下都具有Er3+离子的1.54μm峰位.Er3+离子1.54μm的峰强度与薄膜的退火温度有关,这些薄膜都分别在600℃、700℃、800℃、900℃、1 000℃、1 100℃的温度下同时退火,发现两种富硅薄膜的强度比不富硅薄膜的1.54μm峰强度要强.

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