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阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
宽禁带半导体功率器件
【摘 要】
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阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
【机 构】
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浙江大学信电系功率器件研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年02期
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