【摘 要】
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提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000V的HBM E
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院; 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
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提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600V提升至2 500V。片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中。
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