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近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb／AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度（T=80℃）连续激射，激射波长2μm出光功率63．7mW，达到国内领先水平。
高温连续激射2μm波段锑化物量子阱激光器
【摘 要】
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近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb／AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度（T=8
【机 构】
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中科院半导体研究所
【出 处】
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功能材料信息
【发表日期】
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2011年3期
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