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研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.
Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响
【摘 要】
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研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院中国电子科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团公司第十三研究所天津300130中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2007年5期
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