【摘 要】
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经典的DICE单元在非读写状态时具有高效抗单粒子翻转效应能力,但在读写状态下对单粒子轰击引起的单粒子瞬态却无能为力.基于DICE,提出新型DDICE结构,在互锁结构的基础上将读
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经典的DICE单元在非读写状态时具有高效抗单粒子翻转效应能力,但在读写状态下对单粒子轰击引起的单粒子瞬态却无能为力.基于DICE,提出新型DDICE结构,在互锁结构的基础上将读写线路分开,加入延时电路,并用位线和延时位线写入数据,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力,保证存储单元在静态和动态情况下免受单粒子效应的影响.同时,在译码电路中加入滤波单元,防止译码电路被单粒子轰击时,写入或读出错误数据.该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子效应能力.
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