论文部分内容阅读
用磁控溅射制备了非晶硅薄膜，用波长为532m的连续激光退火和显微Raman光谱原位测试技术和场发射扫描电子显微镜研究了非晶硅薄膜在不同激光功率密度和不同扫描速度下的晶化状态。结果表明，激光照射时间10s，激光功率密度大于2．929×10^5W／cm^2时，能实现非晶硅薄膜晶化。在激光功率密度为5．093×10^5W／cm^2，扫描速度为10mm／s时非品硅开始向多晶硅转化。在5．093×10^5W/cm^2。的功率密度下，以1．0mm／s的扫描速度退火非晶硅薄膜，得到的晶粒直