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本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况，并依据这次国际会议所发表的论文，以GaAs,InP集成电路的技术路线为主线，介绍和评述了GaAs基PHEMT，HBT，MESFET以及InP基HEMT，HBT等集成电路的现状与发展。
GaAs,InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述
【摘 要】
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本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况，并依据这次国际会议所发表的论文，以GaAs,InP集成电路的技术路线为主线，介绍和评述了GaAs基PHEMT，HBT，MESFET以及InP基HEMT，HBT等集成
【机 构】
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机电部第13研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1993年1期
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