一种CMOS单片LDO线性稳压器的设计

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提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO线性稳压器,主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用RC补偿方案,与其他补偿方法相比,RC补偿几乎不消耗额外电流。误差放大器采用折叠共源共栅结构,可以提供较高的电源抑制比,并且使得设计的LDO为两级放大器结构,有利于简化补偿网络。所设计的LDO在低频时电源抑制比(PSR)为-69 dB,在1MHz处的电源抑制比为-19 dB。采用0.35μm工艺流片,测试结果表明,该LDO可以为负载提供70 mA的电流。
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