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由于微米/纳米机电系统(MEMS/NEMS)尺寸方面的特点和制造方面的原因,当对其施加一静电场时,它除了受到静电力外还不可避免地受到真空量子效应力(Casimir力)和残余应力的作用.在这3种力的联合作用下,其变形行为也变得极为复杂.本文导出了微米/纳米微机电系统中桥式薄膜结构在这3种力联合作用下的挠度解析表达式.在不同条件下对其解进行了分析讨论.结果表明:大的残余拉应力将促使微桥薄膜的挠度出现波状行为.