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Vishay推出采用S08占位面积的30VP沟道功率MOSFET器件一Si7145DP，将10V、4．5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2．6mΩ和3．75mΩ。凭借这些性能规格，新的Vishay Siliconix Si7145DP——第三代TrenchFETP沟道家族的最新成员——实现了在这个电压等级和占位下最低的导通电阻。