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一种采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,砷化镓(Ga As)单片LNA,应用MCM(多芯片模块)微组装技术设计的高集成射频接收前端模块,在1~3.5GHz频带内发射通路插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率100W,接收通路(带开关)NF小于2.0d B,增益大于28d B,OIP3大于35d Bm。模块为尺寸5mm×5mm×1.2mm的QFN封装,大幅减小了一般射频接收前端电路物理尺寸,可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。