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本文应用磁控直流溅射方式制备厚度从０．１μｍ～０．２５μｍ的Ｔａ薄膜，通过改变溅射功率、基片的交流偏压和不同的基片，测定Ｔａ薄膜的内应力。研究结果表明：在通常的溅射条件下，Ｔａ溅射膜的内应力为压应力；随着溅射功率的提高，其内应力逐步增大；当基片偏压升高，内应力也呈上升的趋势，但其对内应力的影响大于溅射功率的改变。不同的基片对Ｔａ膜内应力的大小也有一定的影响。