掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：menlyseven

【摘要】

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用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的

【作者】

：

张维连牛新环吕海涛张恩怀孙军生

【机构】

：

河北工业大学半导体材料研究所

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

：

半导体材料硅锗体单晶红外光谱特性 FTIR谱图 <Keyword>CZ method SiGe bulk single crystal oxyg

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用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1%(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.

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