Li1-xBi4+xTi4O15薄膜制备与表征

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在LiNO3/SiO2/Si基板上制备了Li1-xBi4+xTi4O15系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜的结晶效果最好,且在其表面可成长出独立晶粒分布状态;x为0.5时薄膜的剩余极化强度2Pr=53.5μC/cm^2、矫顽场2Ec=144.2kV/cm,此时薄膜的铁电性能相对最佳;该系列薄膜的介电常数介于37~100,介电损失
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