不同工作压强下ICP刻蚀对SiC表面损伤的研究

来源 :福州大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guoqing123456789

【摘要】

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采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后

【作者】

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吕英庞爱锁杨伟锋陈厦平朱会丽吴正云

【机构】

：

厦门大学物理系厦门大学物理系福建厦门福建厦门

【出处】

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福州大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2007年S1期

【关键词】

：

SIC ICP刻蚀工作压强表面损伤 SiC ICP etch work pressure surface damage

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采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含量均有所增加,表面污染加剧,刻蚀引入的损伤随着工作压强的增加而增加.

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