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采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明,γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究
【摘 要】
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采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果,分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外
【机 构】
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四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都,610068四川师范大学物理与电子工程学院和固体物理研究所低维结构物理实验室,成都,610068;重庆邮电学院光电工程学院,重庆
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2007年1期
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