【摘 要】
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该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础.同步整流效率取决于MOSFET整流损耗,
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该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础.同步整流效率取决于MOSFET整流损耗,为此,该文基于MOSFET的等效损耗模型,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系,得到MOSFET同步整流效率曲线.此外,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式.该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压
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