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比热容是碳化硅(SiC)陶瓷的重要物性参数,与其导热系数及热扩散率等直接相关,是评价其热性能的重要依据.由于SiC陶瓷应用温度范围较宽,可高达1000℃以上,有必要对其宽温域范围内的比热容进行研究.针对这一问题,采用下落式量热法研究SiC陶瓷材料在400～1000℃范围内的比热容.通过蓝宝石比热容标准物质对固体材料高温比热容测试仪进行校准,结果显示:蓝宝石标准物质的比热容示值误差小于2％,保证了测试设备的准确性.SiC样品的比热容随着温度升高呈增大趋势,测量结果与文献[21-22]中提供的参考值基本一致,相对偏差在1.8％ ～2.9％范围内,表明采用下落式量热法测定SiC材料的高温比热容具有较高的准确性,是高温段除混合法之外较为可行的一种测定材料比热容方法.