【摘 要】
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本文研究了SiO2/Si、SiNX/Si、Al2O3/Si这三种具有不同介电常数(k)栅介质材料结构在1.7MeV电子辐照前后的傅里叶红外光谱。随着辐照剂量的增大,三种结构的吸收峰强度均随之减
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院、微电子技术四川省重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(2017YFB0405700).
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本文研究了SiO2/Si、SiNX/Si、Al2O3/Si这三种具有不同介电常数(k)栅介质材料结构在1.7MeV电子辐照前后的傅里叶红外光谱。随着辐照剂量的增大,三种结构的吸收峰强度均随之减小,其振动模式受到影响。电子辐照SiO2/Si结构后,振动吸收峰随着辐照剂量的增大,由Si-O-Si、Si-O键引起的伸缩振动吸收峰的位置向低波数移动。电子辐照SiNX/Si结构后,由Si-N键、Si-O键引起的伸缩振动吸收峰的位置向高波数移动。电子辐照Al2O3/Si结构后,由Al2O3的晶格振动,Al-O-Al键
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