【摘 要】
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为了选择高性能单光子探测器件,采用无源抑制方法对工作在盖革模式下的雪崩光电二极管（APD：avalanche photodiode）特性进行了测量。利用APD两端的电压在雪崩后趋于稳定的特性,获
【机 构】
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广东工业大学物理实验中心,华南农业大学工程学院
【基金项目】
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国家“973”计划资助项目(G2001039302);广东省科技计划项目(2003A103405)
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为了选择高性能单光子探测器件,采用无源抑制方法对工作在盖革模式下的雪崩光电二极管（APD：avalanche photodiode）特性进行了测量。利用APD两端的电压在雪崩后趋于稳定的特性,获得了一种确定暗击穿电压的方法。特性测量实验结果表明：降低温度能加宽APD的最佳工作区域范围,并提高最佳增益值,从而使APD具有更高的灵敏度。通过对EG＆G系列APD和外延APD暗电流和信噪比特性进行比较,发现外延APD具有良好的噪声性能和信噪比性能,适用于单光子探测。
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